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爱思开海mk体育力士申请半导体设备制造专利提升半导体设备性能

类别:行业资讯   发布时间:2024-12-20 03:31:32   浏览:

  金融界2024年12月19日消息,国家知识mk体育官网入口产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体设备和用于制造该半导体设备的方法”的专利,公开号CN 119136537 Amk体育,申请日期为2023年12月。

  专利摘要显示,本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法。一种半导体设备包括:衬底,其包括核心区域和外围区域;第一导电图案,其包括在核心区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构,并且包括插入在栅极介电层与栅极电极之间的界面处的高k层;以及第二导电图案,其包括在外围区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构mk体育,并且包括覆盖栅极介电层与栅极电极之间的界面和栅极电极的两个侧壁的高k层mk体育。